【企業】サムスン電子、世界最大規模の半導体生産施設を本格的稼動

サムスン電子はこの日、京畿道平沢キャンパスに延べ面積99万1736㎡規模で建てた3ラインを初めて公開した。今年7月、NAND型フラッシュ生産施設を構築し、ウェハー（半導体原材料のシリコン基板）を投入したのに続き、本格的な稼動を知らせたのだ。

サムスン電子DS部門(半導体)のキョン・ギェヒョン社長は「平沢キャンパス3ラインは、未来の半導体市場の主導権を確保する柱の役割の意味が大きい」と話した。稼動初期には先端NAND型フラッシュメモリーの生産に焦点を合わせることにした。サムスン電子は2002年、世界のNAND型フラッシュメモリー市場シェア1位に上がった後、20年間守り続けてきた。平沢3ラインを稼動し、NAND型フラッシュメモリー市場の支配力を先に強化し、DRAMとファウンドリー（半導体受託生産）競争力まであまねく引き上げる計画だ。

サムスン電子は、平沢3ラインに極紫外線(EUV)工程基盤DRAMと5ナノ以下のファウンドリー工程など先端生産施設を拡大する計画だ。 平沢3ラインを完全に構築するには、30兆ウォン（約3兆円）が投入されるという。キョン社長は「台湾TSMCなどライバル会社の主要顧客をどうにか連れてくるだろう」とし「来年末頃にはサムスンファウンドリーの立場が大きく変わっているだろう」と強調した。

3ラインを含めたサムスン電子平沢キャンパスは、世界最大規模の半導体生産基地だ。米国のバイデン大統領と尹錫悦（ユン・ソンニョル）大統領が5月に訪問し、韓米半導体協力を議論したところだ。敷地規模がサッカー場400か所分にあたる289万㎡に達する。

サムスン電子は、平沢キャンパスに半導体工場をさらに3か所建設し、6つの生産施設を構築する計画だ。当面は、世界的な消費低迷などで業況が揺れているが、5年後、10年後を見て投資する方針だ。

「半導体事業の超格差達成のための前哨基地を造成する」。サムスン電子が2014年、世界最大規模の半導体生産基地として平沢キャンパス施設投資を決定する際に明らかにした目標だ。サムスン電子は7日、平沢キャンパス3ライン稼動を基点に「次世代半導体前哨基地」成果が本格的に現れると見ている。先端半導体開発·製造力量さえあれば、業況が悪くなっても生き残れると自信を表わした。

同日訪問した京畿道サムスン電子平沢キャンパスの3ライン入口には、ウェハーを積んだトラックが絶えず出入りした。 本格的な稼動を始め、NAND型フラッシュの生産に慌ただしい雰囲気だった。

サムスン電子は同日、3ラインより5年先に稼動した平沢1ラインの内部を初めて公開した。米国のバイデン大統領は5月、1ラインを視察した後「世界最先端半導体チップが生産されるのを見た」と話した。 NAND型フラッシュ、DRAMを生産する1ラインでは、ウェハーを盛り込んだ自動運搬装備(OHT)が頭の上に休まず動いた。ジョギングをしながら走る速度より速い水準だ。材料投入から洗浄、蒸着などすべての工程が「100%自動化」だった。「平沢キャンパスは先端製造力量を一堂に集めたところ」とサムスン電子側は説明した。
https://news.yahoo.co.jp/articles/786eff59c59de47ec30059fda8b9468b0bb16550