【半導体】IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表　「スマホの充電は週1に」

2021年12月16日 08時56分 公開

VTFET（左）とFET（右）の設計と電流の流れの比較図

米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。

VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。

同社はVTFETを紹介する動画で、例えばスマートフォンのバッテリーは1回の充電で1週間以上もつようになり、宇宙船や自動運転自動車、海洋ブイなどのIoTデバイスもこの設計の恩恵を受ける可能性があると語った。

（略）

※省略していますので全文はソース元を参照して下さい。